快速退火炉使用先进的微电脑控制管理系统，采用PID闭环控制温度，能够达到极高的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可按照每个用户工艺需求配置多路气体。

　　快速退火炉是现代大规模集成电路生产的基本工艺过程中的关键设备。随着集成电路技术快速的提升，开展快速退火炉系统的创新研发对国内开发和研究具有自主知识产权的快速退火炉设备具备了十分重大的战略意义和应用价值。

　　目前快速退火炉的供应商大多分布在在欧、美和台湾地区，大陆地区还没有可替代产品，市场都由进口设备主导，设备国产化亟待新的创新和突破。

　　随着近两年中美贸易战的影响，国家逐渐重视科技的创新发展与内需增长，政府出台了很多相关的产业政策，对于国产快速退火炉设备在相关行业产线上的占比提出了一定要求，给国内的半导体设备厂商带来了巨大机遇，预测未来几年时间国内退火炉设备市场会有快速的内需增长需求。

　　快速退火炉（芯片热处理设备）大范围的应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产。和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，具有技术指标高、工艺复杂、专用性强的特点。

　　快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；

　　快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制管理系统、气冷系统、水冷系统等几部分所组成。真空腔室：真空腔室是快速退火炉的工作空间，晶圆在这个地方进行快速热处理。

　　加热室：加热室以多个红外灯管为加热元件，以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。

　　进气系统：真空腔室尾部有进气孔，精确控制的进气量用来满足一些特殊工艺的气体需求。

　　真空系统：在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀，可以有效确保腔室真空度，同时避免气体倒灌污染腔室内的被处理工件。

　　温度控制管理系统：温度控制管理系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等组成。

　　气冷系统：真空腔室的冷却是通过进气系统向腔室内充入惰性气体，来加速冷却被热处理的工件，满足工艺使用要求。

　　1.加热灯管更换：加热灯管超过常规使用的寿命或无法点亮时需来更换。加热灯管的常规使用的寿命为3000小时，高温状态下会降低其常规使用的寿命。2.真空泵油更换：在使用的过程中，请每季度固定观察1次真空油表，当油表显示油量低于1/3时请添加真空泵润滑油到油表一半以上。

　　3.热电偶更换：当热电偶测温不正常或者损坏时需来更换。热电偶的正常常规使用的寿命为3个月，随外因降低其寿命。

　　4.O型圈的更换：O型圈表面有明显破损或没办法气密时需来更换，其寿命受外力以及温度因素影响。

　　多腔体生产模式，单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；

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